Textul licitației

ist eine reaktive Ionenätzanlage (RIE) mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP) zum Ätzen von Siliziumsubstraten oder -schichten. Die Ausschreibung umfasst lediglich die spezifizierte Anlage, die dafür benö-tigten Medien und Peripherien werden vom DLR separat bereitgestellt. DRIE-Anlage / Beschreibung Zum Ätzen tiefer Strukturen in Silizium wird eine Anlage zum reaktiven Ionentiefenätzen (deep reactive ion et-ching DRIE) benötigt. Mit diesem Verfahren sollen Strukturen mit hohem Aspektverhältnis in Si Substrate oder Si Schichten auf 100 mm und 150 mm Wafern mittels Lack- und Hartmasken geätzt werden. Auftragsgegenstand • Anlage gemäß Spezifikation inkl. Lieferung, Inbetriebnahme, Abnahme und Schulung • Es können neue, sowie neuwertige gebrauchte (refurbished) Systeme angeboten werden. Weitergehende Informationen sind der beigefügten Leistungsbeschreibung (Vertragsunterlage